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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
电介质刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
牛津仪器Etch刻蚀工艺 有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持, 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺能力。请与
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
品牌:牛津仪器型号:Etch产地:欧洲有了在刻蚀工艺发展上无比广泛的经验和我们应用工程师的支持, 牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供刻蚀工艺解决方案的经验向我们提供了强大的刻蚀工艺库和刻蚀工艺
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器INCAWave波谱仪
INCA WAVE波谱仪是SEM中很少采用与EPMA相同的全聚焦几何设计的波谱仪。这意味着分辨率提高了2倍,测量更加稳定且可重复。WAVE是一种以其工程精度和质量而闻名的全聚焦光谱仪。WAVE光谱仪的
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牛津仪器TKD样品座
专为TKD分析的样品座,TKD即透射菊池花样演示分析(Transmission Kikuchi Diffraction)技术,是最新用于检测仅十几纳米尺度的EBSD分析方法,空间分辨率比传统技术
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